MPS R400CVP 晶圆研磨机
型号:MPS R400CVP
产地:德国
关键字:晶圆研磨机、晶圆减薄机、研磨机、减薄机
n产品简介
德国G&N公司前身为1940年成立的德国Kugelmüller有限公司,并于1964年开发了世界第一台半导体晶圆研磨机。MPS R400 CVP型晶圆研磨机是德国G&N公司开发的一款8寸双轴带抛光机晶圆研磨/减薄系统,采用了G&N公司最先进的研磨技术,主要用于对半导体晶圆进行减薄,精密研磨与抛光,该系统采用两个主轴,一个主轴同时安装粗磨砂轮和精磨砂轮,自动切换,另一个主轴用于抛光去除由研磨造成的损伤层,系统稳定性好,研磨精度高,适合科研客户及小批量生产客户。
n技术特色
- 立式进给研磨加工方式,通过金刚石砂轮对晶圆进行高速减薄加工
- 兼容2,3,4,5,6,8寸晶圆减薄与研磨
- 2个主轴,1个主轴用于研磨,一个主轴用于抛光
- 研磨轴粗磨和精磨自动转换
- 砂轮进给采用高精度伺服电机进行控制,磨削精度高
- 系统采用高精度平衡系统,可补偿在减薄过程中抖动,加工稳定性好,重复加工精度高
- 全封闭研磨区
- 砂轮为金刚石或者CBN
- 多种不同粒度和材料的砂轮用于研磨不同的材料
- 高精度PLC控制器
- 最低限度的TTV
- 可去掉损伤层,优化粗糙度
- 可设置多个recipe程序自动运行
- 多种尺寸的真空夹具
- 可配置膜厚测量模块
-对话式人机PC操作界面,触摸屏幕,操作简便,可储存多个recipes
n主要参数
研磨尺寸 |
兼容2” 3” 4” 5” 6” 8” |
样品台平面起伏误差 |
≤2μm |
研磨方式 |
Z向切入方式,晶片与主轴同步旋转 |
金刚石/CBN砂轮直径 |
200mm |
主轴数量 |
2个(研磨+抛光) |
单次可研磨wafer数量 |
32 x 2’’; 16 x 3’’; 8 x 4’’ ; 5 x 5’’; 4 x 6’’ ; 2 x 8’’ |
主轴类型 |
内置高精度电机 空气静压主轴 |
粗、精进给范围 |
170mm |
砂轮类型 |
双砂轮 |
进给精度 |
≤1μm |
砂轮切换方式 |
自动 |
最小步长 |
0.1μm |
粗磨速度 |
2-1000μm/min |
研磨后的表面粗糙度Ra |
取决于砂轮, 使用D7,Ra为0.016μm |
精磨速度 |
2-1000μm/min |
研磨/抛光后单片厚度偏差TTV |
≤3μm/7um(@6寸) |
主轴功率 |
3.7 KW |
研磨后晶片与晶片之间的厚度偏差 |
≤2μm |
主轴转速 |
2850min-1 |
重量 |
1130kg |
样品台直径 |
400mm |
占地面积 |
1640 x 1210 mm |
样品台转速 |
2-30rpm |
控制器 |
PLC控制系统 |
n产品应用:
可研磨多种半导体材料,如AlN; Al2O3; GaAs; K2O,GaN; Ge; InP; Si; SiC; Si2N4等