半自动晶圆厚度测量系统

n产品简介:

SemDex M 型晶圆厚度测量系统是德国SENTRONICS半导体公司一款高性能的半自动晶圆厚度测量系统，该系统可集成红外光谱干涉测量技术，光学干涉技术及光学反射技术探头，广泛用于半导体Wafer Manufacturing, FEOL, BEOL to Wafer Level Packaging领域，SENTRONICS以其精准的测量能力，非接触的测量方式，快速的测试速度，上下双探头符合SEMI标准的测试方式，使得该设备在半导体，MEMS，在化合物外延领域晶圆厚度测量拥有很高的市场占有率,在全球半导体行业已经超有100个Fab工厂已安装该系统。

n主要功能：

1、红外光谱技术：采用专利的光谱相干干涉技术，该技术可用于测量最小厚度为1um的wafer, 分辨率可达纳米量级，主要用于测量晶圆的厚度、TTV、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度。

   配置单探头系统，可以测量一些对红外线透明的材料，例如Si, GaAs, InP, SiC, 玻璃，石英和一些聚合物，还可以测量常规有图形、有胶带、凸起或者键合在载体上晶圆的衬底厚度。

   配置双探头系统时，还提供晶圆整体厚度测量（包括衬底厚度和在光不能穿透的情况下的图形高度厚度)。

   还可以用于测量沟槽深度和通孔深度（包括微机电中的高深宽比的沟槽和通孔），微机电应用中薄膜厚度测量和凸块高度测量。

2、白光干涉技术：采用白光干涉技术，可得到wafer表面的3D形貌，表面粗糙度，TSV等关键尺寸，测量范围为0-100um，分辨率为亚纳米水平。

3、光学反射技术：采用光学反射技术，可得到wafer表面涂层或薄膜的厚度，可测量最小厚度5nm的薄膜，分辨率为亚纳米量级。

n产品特点：

1、兼容4,6,8,12寸样品；

2、所有检测数据，一步同时完成测量；

3、可在一台仪器上搭配不同技术的测量探头，用于测量晶圆的厚度、TTV、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度，3D形貌，TSV，关键尺寸，粗糙度等参数。

4、M系列测量台为无振动测量的空气悬浮台(M2型号可选装高速旋转台)；

5、可在现场将半自动系统升级为全自动系统（M1升级为M2），减少换机工作量和时间；

6、符合SEMI S2和S8标准；

7、用户界面友好的WaferSpect 软件，软件具有mapping功能,可以多点测试后提供样片测试的mapping图。 

n应用行业：

- 化合物半导体：研磨芯片厚度控制GaAs，InP, SiC，GaN 

- 硅基器件前段：功率器件，MEMS，射频MEMS

- 硅基器件后段：8”和12”的封装及bumping线，TSV(硅通孔技术)

- LED：可用作检测蓝宝石或碳化硅片厚度及TTV

- 光通讯：石英材料类

n典型应用案例：

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