半自动晶圆厚度测量系统
型号:SemDex M2
产地:德国
关键字:TTV、Bow、Warp TSV、RST、薄膜厚度、晶圆厚度、粗糙度,关键尺寸。
n产品简介:
SemDex M 型晶圆厚度测量系统是德国SENTRONICS半导体公司一款高性能的半自动晶圆厚度测量系统,该系统可集成红外光谱干涉测量技术,光学干涉技术及光学反射技术探头,广泛用于半导体Wafer Manufacturing, FEOL, BEOL to Wafer Level Packaging领域,SENTRONICS以其精准的测量能力,非接触的测量方式,快速的测试速度,上下双探头符合SEMI标准的测试方式,使得该设备在半导体,MEMS,在化合物外延领域晶圆厚度测量拥有很高的市场占有率,在全球半导体行业已经超有100个Fab工厂已安装该系统。
n主要功能:
1、红外光谱技术:采用专利的光谱相干干涉技术,该技术可用于测量最小厚度为1um的wafer, 分辨率可达纳米量级,主要用于测量晶圆的厚度、TTV、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度。
配置单探头系统,可以测量一些对红外线透明的材料,例如Si, GaAs, InP, SiC, 玻璃,石英和一些聚合物,还可以测量常规有图形、有胶带、凸起或者键合在载体上晶圆的衬底厚度。
配置双探头系统时,还提供晶圆整体厚度测量(包括衬底厚度和在光不能穿透的情况下的图形高度厚度)。
还可以用于测量沟槽深度和通孔深度(包括微机电中的高深宽比的沟槽和通孔),微机电应用中薄膜厚度测量和凸块高度测量。
2、白光干涉技术:采用白光干涉技术,可得到wafer表面的3D形貌,表面粗糙度,TSV等关键尺寸,测量范围为0-100um,分辨率为亚纳米水平。
3、光学反射技术:采用光学反射技术,可得到wafer表面涂层或薄膜的厚度,可测量最小厚度5nm的薄膜,分辨率为亚纳米量级。
n产品特点:
1、兼容4,6,8,12寸样品;
2、所有检测数据,一步同时完成测量;
3、可在一台仪器上搭配不同技术的测量探头,用于测量晶圆的厚度、TTV、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度,3D形貌,TSV,关键尺寸,粗糙度等参数。
4、M系列测量台为无振动测量的空气悬浮台(M2型号可选装高速旋转台);
5、可在现场将半自动系统升级为全自动系统(M1升级为M2),减少换机工作量和时间;
6、符合SEMI S2和S8标准;
7、用户界面友好的WaferSpect 软件,软件具有mapping功能,可以多点测试后提供样片测试的mapping图。
n应用行业:
- 化合物半导体:研磨芯片厚度控制GaAs,InP, SiC,GaN
- 硅基器件前段:功率器件,MEMS,射频MEMS
- 硅基器件后段:8”和12”的封装及bumping线,TSV(硅通孔技术)
- LED:可用作检测蓝宝石或碳化硅片厚度及TTV
- 光通讯:石英材料类
n典型应用案例:
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